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事关芯片!我国成功开发这一新技术

近日,由西湖大学孵化的西湖仪器(杭州)技术有限公司(以下简称西湖仪器)近日成功实现12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离,解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。

与传统的硅材料相比,碳化硅具有更宽的禁带能隙,以及更高的熔点、电子迁移率和热导率。其能够在高温、高电压条件下稳定工作,已成为新能源和半导体产业迭代升级的关键材料,在电动汽车、光伏发电、智能电网、无线通信等领域拥有广阔应用前景。

“目前,碳化硅衬底材料成本居高不下,严重阻碍了碳化硅器件的大规模应用。”西湖大学工学院讲席教授仇旻介绍,碳化硅行业降本增效的重要途径之一,是制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。与6英寸和8英寸碳化硅衬底相比,12英寸碳化硅衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,在同等生产条件下,显著提升芯片产量,同时降低单位芯片制造成本。

此前,西湖仪器已率先推出8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备。为响应最新市场需求,西湖仪器迅速推出超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术,将超快激光加工技术应用于碳化硅衬底加工行业,完成了相关设备和集成系统的开发。

“超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术能够实现对碳化硅晶锭的精准定位、均匀加工、连续剥离。”仇旻介绍,一方面,该技术实现了晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化;另一方面,与传统切割技术相比,该技术可实现激光剥离过程无材料损耗,原料损耗大幅下降。

不仅如此,仇旻还提到,超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术可大幅缩短衬底出片时间,适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产,有助于加速超大尺寸碳化硅衬底技术的研发迭代,进一步促进行业降本增效。


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