据《韩国先驱报》报道，三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理Jungbae Lee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。

根据DDR内存路线图，三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品；到2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量；展望2027年，三星将迈入10nm以下级DRAM制程节点。届时，三星将发布采用0a nm工艺的DDR内存产品，内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。

而在LPDDR方面，三星还介绍了LPDDR5-PIM产品。这一整合计算单元的存储介质可提升70% 系统能效和最多8倍性能；HBM方面，三星电子明确了其下一代产品HBM4E将于2026年推出。