4 月 8 日消息，据美国政府官方声明，台积电已与美国商务部达成不具约束力的初步备忘录。

台积电方面将在亚利桑那州凤凰城建设第三座在美晶圆厂，而美国政府方面将根据《芯片法案》向台积电的三座工厂提供至多 66 亿美元（当前约 477.84 亿元人民币）的直接资金补贴。

除直接补贴外，美国政府还计划根据初步协议为台积电的晶圆厂建设提供约 50 亿美元（当前约 362 亿元人民币）的贷款。

台积电也在准备向美国财政部申请相当于资本支出符合条件部分 25% 的投资税收抵免。

台积电方面承诺将在本十年底实现第三座晶圆厂的投产，进而在亚利桑那州打造一个前沿半导体集群。

台积电在美的整体投资将超 650 亿美元（当前约 4706 亿元人民币），可在十年间为亚利桑那州当地创造 6000 个直接工作岗位和数以万计的间接岗位，此外还有累计超 20000 个的单次建筑业相关岗位。

美方还计划将 5000 万美元的《芯片法案》资金用于当地建筑和半导体行业劳动力的培训和发展。

台积电表示其第一座在美晶圆厂将提供 4nm FinFET 产能，目标 2025 年上半年启动量产；而其第二座在美晶圆厂将在 3nm 工艺外再引入 2nm GAA 工艺，2028 年开始生产；未来的第三座晶圆厂则将根据用户需求提供 2nm 乃至更先进的制程。

此前英特尔也与美国商务部签署了类似的谅解备忘录，涉及至多 85 亿美元直接补贴和 110 亿美元贷款。